上兩期文章中，分別介紹了POL電源的基礎(chǔ)入門知識與POL電源的技術(shù)趨勢。那么在本期文章中會介紹一下在進(jìn)行POL電源的研究開發(fā)時(shí)會進(jìn)行的瞬態(tài)響應(yīng)試驗(yàn)。以及菊水產(chǎn)品相關(guān)的一些應(yīng)用。

瞬態(tài)響應(yīng)試驗(yàn)

瞬態(tài)響應(yīng)試驗(yàn)不僅是對POL電源來說是個(gè)重要特性，對于電源來說也是十分重要的一個(gè)特性。特別是對于連接到低壓CPU與FPGA等的POL電源尤其重要。

POL電源的瞬態(tài)響應(yīng)試驗(yàn)一般是確認(rèn)當(dāng)脈沖狀的電流產(chǎn)生時(shí)所發(fā)生的電壓變化，可以參考下圖。

通過瞬態(tài)響應(yīng)試驗(yàn)，可以確認(rèn)CPU與PFGA在快速輸入電流變動時(shí)，POL電源的恒壓能力。

菊水產(chǎn)品應(yīng)用

在瞬態(tài)響應(yīng)試驗(yàn)中，要求對POL電源進(jìn)行各種試驗(yàn)要求。在進(jìn)行各類試驗(yàn)時(shí)，雖然可以通過測試多個(gè)CPU與FPGA來驗(yàn)證，但是由于需要根據(jù)每個(gè)試驗(yàn)條件去改變這些設(shè)備的連接，或者是為改變處理的設(shè)定而每次進(jìn)行調(diào)整等，所以并不是十分現(xiàn)實(shí)。

在此類情況下，電子負(fù)載裝置可以通過在任意時(shí)間間隔內(nèi)改變輸入電流來進(jìn)行模擬。其操作不僅可以直接在前面板進(jìn)行，還可在PC上進(jìn)行遠(yuǎn)程操作。所以十分適合瞬態(tài)響應(yīng)試驗(yàn)。

而作為菊水的電子負(fù)載裝置產(chǎn)品，PLZ-5W系列的開關(guān)功能正是可以對應(yīng)瞬態(tài)響應(yīng)試驗(yàn)的功能。

PLZ-5W單機(jī)的低電壓運(yùn)作

一般的電子負(fù)載在低壓部分有衰減流動電流的區(qū)域，在POL電源這類的低電壓電源的試驗(yàn)中使用時(shí)會產(chǎn)生問題。下圖為一般電子負(fù)載的簡易輸入電路。通過功率器件、運(yùn)算放大器與電流檢測電阻實(shí)現(xiàn)恒流電路，并通過控制該恒流電路實(shí)現(xiàn)恒流模式、恒壓模式、恒阻模式等。

MOS-FET通常是電子負(fù)載的重要功率器件。擁有一個(gè)ON電阻，ON電阻是可實(shí)現(xiàn)MOS-FET的Min電阻值。也就是電子負(fù)載的輸入電路的Min電阻值是MOS-FET的ON電阻與電流感應(yīng)電阻的和。因此，即使在負(fù)載端子的電壓非常低但想要流過大電流時(shí)，會由于輸入電路的電阻值有下限，而導(dǎo)致超過一定數(shù)值的電流無法流過。下圖右側(cè)的圖標(biāo)與公式表示了這一點(diǎn)，在低電壓下，負(fù)載電流與施加的電流成比例關(guān)系。

另外，需要注意的是，即使動力裝置使用的不是MOS-FET而是雙極晶體管，在低電壓時(shí)也會有像恒阻一樣的動作區(qū)域，因此會引起可流動Max電流的衰減。在下圖中顯示的區(qū)域被稱為飽和區(qū)域，在這個(gè)區(qū)域中，晶體管會呈現(xiàn)恒壓運(yùn)作，因此會引起低電壓時(shí)可流動Max電流的衰減。

以上就是本期文章的所有內(nèi)容了。在本篇內(nèi)容中有講解到電子負(fù)載在低壓部分有電流的衰減區(qū)域，所以菊水的電子負(fù)載裝置PLZ-5W系列也包含了這個(gè)區(qū)域。在下期的文章中，會為大家介紹一下PLZ-5W系列的運(yùn)作區(qū)域，還會為大家展示一些實(shí)際的產(chǎn)品試驗(yàn)操作。

■ 推薦使用菊水產(chǎn)品

高速響應(yīng) 大功率化 小型化

多功能直流電子負(fù)載PLZ-5W系列

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產(chǎn)品詳情FPLZ-5W/5WZ系列多功能直流電子負(fù)載 示波器電源通用儀器

本文來源于KIKUSUI菊水

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